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2024-03
Spectrum仪器高速任意波形发生器DDS功能可生成20个正弦波
任意波形发生器使用DDS的优势 Spectrum仪器的任意波形发生器可以自由在AWG模式（从预编程数据中生成波形）和DDS模式（只需几个命令就能生成正弦载波）之间切换，因其功能繁多几乎适用于任何应用。在DDS模式下，AWG是作为多音频DDS的基础。该设备内置4GB内存和快速DMA传输模式，每秒能够下达10万个DDS命令。这种独特的功能在执行用户定义斜率（例如S形）和多种调制类型（如FM和AM）时更加灵活，并且DDS命令更加简单。 量子实验中的D...
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2024-03
如何最大程度降低开关电源中的寄生参数
开关模式电源（开关电源）因其高效性和灵活性而广受欢迎。但它们也带来了挑战，因为其应用已经延伸到新的领域。最明显的是，其高频切换会对系统的其他部分产生电磁干扰 (EMI)。此外，导致 EMI 的因素同样也会降低效率，从而削弱开关电源关键的能效优势。 为了避免这些问题，设计人员在配置“热回路”（电源电路中发生快速开关的部分）时必须特别小心。将等效串联电阻(ESR) 和等效串联电感(ESL) 造成的热回路寄生损耗降至最低至关重要...
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2024-03
新一代4D成像雷达性能出众，价格合理
雷达领域领导者。了解为什么越来越多的公司选择恩智浦汽车雷达传感器来满足他们的需求。 更精准的检测，更安全舒适的驾驶 恩智浦雷达芯片组的4D成像雷达传感器，高性价比、高性能，具有48个通道，能支持实现： • 1度的方位角分辨率 • 2度的仰角分辨率 • 最大370米的汽车检测距离 • 最大130米的无轮辋轮胎检测距离 雷达传感器每帧生成高质量、密集的2k点云，延迟非常低。它基于丰富的点云集成进一步的处理，包括检测、聚类、跟踪和分类，...
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2024-03
升压型DC－DC转换器中高频噪声的产生原因
当开关节点的电压VSW变得高于输出电压时，高边开关整流二极管被正向偏置。即使正向偏置电压高于整流二极管的VF，由于整流二极管存在导通延迟，因此电流也不会开始流动，漏极电压上升至高于“输出电压+VF”的电压。经过数ns的导通延迟后，整流二极管变为导通状态，电感电流开始向输出电容器充电。 输出电容器和布线中的电感分量 由于整流二极管的导通延迟，已上升至高于输出电压电位的VSW被施加给输出电容器，因电位差很大，输出电容器开始被快速充...
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2024-03
下一代隔离式Σ-Δ调制器如何改进系统级电流测量
隔离调制器广泛用于需要高精度电流测量和电流隔离的电机/逆变器。随着电机/逆变器系统向高集成度和高效率转变，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高开关频率和更低发热量的优势，而开始取代MOSFET和IGBT。然而，隔离器件需要具有高CMTI能力，另外还需要更高精度的电流测量。下一代隔离调制器大大提高了CMTI能力，并改善了其本身的精度。 什么是共模瞬变抗扰度？ 共模瞬变抗扰度规定了应用在绝缘临界状态下的瞬变脉冲上升和下降的速...
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2024-03
发光二极管中的电阻器
使用欧姆定律和基尔霍夫电路定律可以轻松计算镇流电阻器的电阻 。从电压源中减去额定 LED 电压，然后除以所需的 LED 工作电流： R=V?VLEDI 其中V是电压源，V LED是 LED 电压，I 是 LED 电流。这样您就可以找到正确的电阻来实现 LED 的正常运行。 这种带有镇流电阻的简单 LED 电路可用作 DVD 播放器或计算机显示器的电源指示灯。尽管该电路广泛应用于消费电子产品中，但其效率并不高，因为电压源的剩余能量被镇流电阻耗散。因此，有时会应用更...
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2024-03
如何针对工业应用改造螺线管和步进电机驱动器
工厂车间控制系统、汽车和实验室设备等边缘设备应用越来越多地利用物联网(IoT) 和人工智能 (AI) 功能，以实现低延迟决策、更强性能、更低成本以及更高的安全性和生产力。螺线管和步进电机的驱动器需要与时俱进，加入更多板载传感和智能功能，以便集成到快速发展的新环境中，进一步改善精度、可靠性、闭环控制、成本、占地面积以及易用性。 本文总结了螺线管和步进电机的基本操作，并概述了专为智能边缘应用设计的驱动器 IC 的优势。然...
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2024-03
优化大功率直流充电桩设计
目前电动汽车的 OBC 依赖交流充电，最大额定功率为 22 kW。直流充电绕过了 OBC，直接向电池输送直流电，因此能提供高得多的功率，从 50 kW 到 400 kW 以上甚至更高。 由于这个原因，DCFC 常被称为“快速”或“超快速”充电桩。如此高的充电速度和更大的便利性为电动汽车带来了更多的应用和用例。例如，电动汽车如果需要八小时才能充满电，是不适合长途驾驶的，但借助超快速充电桩，电动汽车可以在短暂的休息时间内大量充电，增加车辆的续航里...
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2024-03
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应，今天，我们将继续分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。 除了Ipk vs tav图之外，大多数功率MOSFET数据表还包含一个UIS能量额定值，通常列在最大值表中。这有点...
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2024-03
如何测量功率回路中的杂散电感
1. 连接母排以及功率回路中的寄生电感 连接母排以及功率回路中的寄生电感，如图1中a位置所示。对于功率模块中常见的连接母排主要包括并行母排和叠层母排。寄生电感取决于母排的宽度与间距之比，并行母排每米的寄生电感可高达550nH，而叠层母排可以实现非常低的寄生电感，所以在大电流的IGBT、碳化硅功率回路设计更推荐使用叠层母排。一个200mm长的叠层母排，假设宽度为100mm，它的绝缘层厚度可以做到0.5毫米，这时寄生电感可以做到个位...