为什么运放会产生交越失真？

运放基于工艺方面基本可以分为：Bipolar、JFET、CMOS三种架构类型，也有基于以上三种类型衍生出来的BiFET和CMOS zero-drift架构，每种架构各有各的优点，本章节主要是针对三种基本的架构进行阐述。

上图（图3）是ADA4530-1内部输入架构，信号输入后直接进入一对MOSFET管子。同样作为电压控制型器件，MOSFET相比JFET而言，输入阻抗更高，因此做出的运放在失调电流以及偏置电流方面的参数更好。MOSFET对于静电放电抵抗能力不佳，这类器件在运放电路中，前端通常需要添加上二极管（如上图图3黄框所示）进行保护，MOSFET的沟道在表面，不像JFET在体内，故JFET型输入的运放在噪声方面性能更优异。

上图（图3）ADA4530-1输入级只有一对MOSFET管，所以输入只能达到下轨，在单4.5V供电的情况下，输入电压范围0-3V。

以上介绍运放的三种基本架构中，多次提到一个参数：输入电压范围。这关系到运放的一个性能：轨到轨 (Rail To Rail)，包含了输入轨到轨以及输出轨到轨。在实际应用中，工程师很关心输入电压范围该参数。因为当前很多强调低功耗的应用，需要低电压供电。比如：对于3.3V供电系统来说，如果运放输入不能轨到轨，输入的电压动态范围会被压缩到很低。