IGBT如何进行可靠性测试？

HTRB测试旨在检查器件在高温下主阻断结处于“反向偏置”条件下的稳定性，作为时间的函数。

对于在结上施加的给定温度和电压，一段时间内的稳定性和漏电流可指出结表面的稳定性。因此，它是器件质量和可靠性的良好指标。

对于IGBT，电压施加在集电极和发射极之间，栅极与发射极短接。ICES、V(BR)CES、IGES、VGE(th) 和 VCE(on)是被监测的直流参数。当漏电流达到如此高的水平以至于功率耗散导致器件进入热失控时，就会发生故障。如果是稳定的器件，漏电流应保持相对恒定，在测试期间只会略有增加。

典型条件：
VCE = 最大额定值的 80−100%
VGE = 0 V（短路）
TA=150°C或Tj最大值
持续时间：1,000小时以满足认证要求

高温栅极偏置 (HTGB)

HTGB测试的目的是在高温下以最大额定直流偏置电压对栅极氧化物施加电应力。该测试旨在检测由随机氧化物缺陷和离子氧化物污染引起的漂移。

对于IGBT，电压施加在栅极和发射极之间，集电极与发射极短接。IGES、VGE(th)和VCE(on)是被监测的直流参数。任何氧化物缺陷都会导致早期器件故障。